[发明专利]一种氮化镓基高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201810685086.4 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN108878524B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;汪浩;刘勇;白智元;辛奇;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明通过在传统GaNHEMT器件的栅极与漏极之间形成具有整流作用的横向肖特基二极管，以此作为耐压结构来调制器件表面电场，优化横向电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的；同时，横向肖特基二极管的存在还可以在阻断状态下承受一定反向电压，在正向导通状态下避免栅极加正压时栅极产生过大的泄漏电流，保证了器件的正向电流能力；此外，本发明相比场板结构不会引入附加的寄生电容，保证了器件的工作频率和开关速度，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括自下而上依次层叠设置的衬底(207)、氮化镓缓冲层(206)、氮化镓沟道层(205)、铝镓氮势垒层(204)以及分别设置在铝镓氮势垒层(204)上表面的源极(201)、漏极(202)和栅极(203)，所述源极(201)和所述漏极(202)均与所述铝镓氮势垒层(204)形成欧姆接触，所述栅极(203)与所述铝镓氮势垒层(204)形成肖特基接触；其特征在于：栅极(203)与漏极(202)之间的铝镓氮势垒层(204)上表面设置有N型半导体层，所述N型半导体层包括掺杂浓度不同的N‑型半导体层(209)和N+型半导体层(210)；所述N‑型半导体层(209)与所述栅极(203)形成肖特基接触，所述N+型半导体层(210)与所述漏极(202)形成欧姆接触，栅极(203)和漏极(202)及介于二者之间N型半导体层形成横向肖特基二极管；源极(201)与栅极(203)之间的铝镓氮势垒层(204)以及栅极(203)与漏极(202)之间的N型半导体层表面设置有钝化层(208)。
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