[发明专利]高灵敏度压电MEMS传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810685353.8 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN108917991B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡耀;唐楚滢;周杰;邹杨;胡博豪;孙成亮 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G01L1/16 | 分类号： | G01L1/16;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了高灵敏度压电MEMS传感器及其制备方法，所述压电MEMS传感器包括基底和压电堆叠结构；所述基底从下至上依次为基底底层、基底中间层和基底顶层；所述基底底层设有背腔，所述基底顶层设有规律分布的镂空槽；所述压电堆叠结构设有贯通压电堆叠结构、且与镂空槽相通的若干释放孔。本发明压电MEMS传感器，当压电堆叠结构、基底顶层和基底中间层发生形变时，由于镂空槽的存在，使得压电薄膜的挠曲变形增大，压电薄膜的应变程度得到加强，输出更强的电信号，从而提升压电传感器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 压电 堆叠结构 镂空槽 顶层 高灵敏度 压电薄膜 中间层 制备 压电传感器 规律分布 挠曲变形 灵敏度 形变 释放孔 背腔 相通 贯通 输出 | ||
【主权项】：
1.高灵敏度压电MEMS传感器，其特征是：包括基底和压电堆叠结构；所述基底从下至上依次为基底底层、基底中间层和基底顶层；所述基底底层设有背腔，所述基底顶层设有规律分布的镂空槽；所述压电堆叠结构设有贯通压电堆叠结构、且与镂空槽相通的若干释放孔。
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