[发明专利]引入外延层场阑区的半导体器件在审
| 申请号： | 201810685695.X | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109216445A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张磊;卡西克·帕德马纳班;管灵鹏;王健;陈凌兵;维母·亚兹;薛宏勇;李文军;马督儿·博德 | 申请（专利权）人： | 万国半导体（开曼）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 包姝晴;徐雯琼 |
| 地址： | 英属西印度群岛，开曼群岛，大开曼岛KY*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括一个具有基极区的半导体本体，半导体本体中引入一个场阑区，其中基极区和场阑区都利用外延工艺制成。另外，外延层场阑区由改良掺杂结构构成，实现了半导体器件改良的软切换性能。在一些实施例中，形成在场阑区中的改良掺杂结构包括变化的、不稳定的掺杂水平。在一些实施例中，改良掺杂结构包括延长分级掺杂结构、多步进平板掺杂结构或多尖峰掺杂结构中的一个。本发明所述的外延层场阑区允许使用复杂的场阑区掺杂结构，以获得半导体器件所需的软切换性能。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 场阑 半导体器件 外延层 改良 半导体本体 基极区 软切换 外延工艺 允许使用 尖峰 引入 步进 分级 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：一个重掺杂的半导体层；一个形成在半导体层上的第一导电类型的外延层，一个形成在半导体层附近的第一部分外延层中的场阑区，以及一个形成在第二部分外延层中的基极区，场阑区具有第一边在半导体层附近，第二边在基极区附近，基极区具有第一边在场阑区附近，第二边在第一边对面；以及一个形成在基极区第二边上的器件区，器件区包括至少一个PN结，其中形成在第一部分外延层中的场阑区具有一个掺杂结构，在场阑区中包括不稳定的、变化的掺杂水平，基极区具有稳定的掺杂水平。
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