[发明专利]横向可集成的肖特基结势垒场效应管在审
| 申请号： | 201810688108.2 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN108847421A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 张春伟;李阳;李志明;岳文静;付小倩 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 李健康 |
| 地址： | 250022 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种横向可集成的肖特基结势垒场效应管，包括：N型衬底，所述N型衬底表面设有源极金属、栅介质层和漏极金属，所述栅介质层上方设有栅电极，所述源极金属和N型衬底之间以及漏极金属和N型衬底之间的接触为肖特基接触。由于本发明器件不需要高掺杂浓度的P型源极接触区和P型漏极接触区，器件具有更小的横向尺寸，同时，器件的栅电极不需要覆盖P型源极接触区和P型漏极接触区，因此栅电极的长度更小，所以器件的栅电极寄生电容更小，器件具有更快的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 接触区 栅电极 衬底 漏极金属 肖特基结 源极金属 栅介质层 可集成 势垒场 效应管 肖特基接触 衬底表面 发明器件 寄生电容 高掺杂 覆盖 | ||
【主权项】：
1.横向可集成的肖特基结势垒场效应管，包括：N型衬底，所述N型衬底表面设有源极金属、栅介质层和漏极金属，所述栅介质层上方设有栅电极；其特征在于，所述源极金属和N型衬底之间的接触为肖特基接触，所述漏极金属和N型衬底之间的接触为肖特基接触。
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