[发明专利]金属栓塞的形成方法在审
申请号: | 201810689410.X | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN110660665A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/321 | 分类号: | H01L21/321;H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供一种金属栓塞的形成方法,包括:提供一晶圆,包含基板和在基板上的绝缘层,绝缘层具有空洞;在绝缘层上形成金属层,金属层在空洞里面填充形成为金属栓塞;进行化学机械研磨的主研磨步骤和后研磨步骤,后研磨步骤中金属研磨速率小于主研磨步骤的金属研磨速率;在后研磨步骤之后,金属栓塞的顶面个别的露出于绝缘层在后研磨步骤后的上表面。本发明可在提高金属层研磨效率的同时,有效改善凹陷缺陷,提高产品成品率。 | ||
搜索关键词: | 绝缘层 研磨 金属栓塞 金属层 金属研磨 主研磨 基板 空洞 化学机械研磨 产品成品率 凹陷缺陷 研磨效率 上表面 顶面 晶圆 填充 | ||
【主权项】:
1.一种金属栓塞的形成方法,其特征在于,包括:提供一晶圆,包含基板和在所述基板上的绝缘层,所述绝缘层具有空洞;在所述绝缘层上形成金属层,所述金属层在所述空洞里面填充形成为金属栓塞;进行化学机械研磨的主研磨步骤和后研磨步骤,研磨在所述绝缘层上的所述金属层,在所述主研磨步骤中研磨所述金属层的同时供应第一研磨浆料,所述第一研磨浆料包括金属研磨加速剂一;当所述金属层在所述主研磨步驟中研磨去除的厚度达到所述金属层在所述绝缘层上的总金属层厚度的60%以上时,进行所述后研磨步骤,研磨残留的所述金属层和部分所述绝缘层直至所述金属层在所述绝缘层上的部分被全部移除,在所述后研磨步骤中研磨所述金属层的同时供应第二研磨浆料,所述第二研磨浆料包括金属研磨加速剂二;所述第二研磨浆料具有不同于所述第一研磨浆料的组成配比,以使所述后研磨步骤中金属研磨速率小于所述主研磨步骤的金属研磨速率;在所述后研磨步骤之后,所述金属栓塞的顶面个别的露出于所述绝缘层在所述后研磨步骤后的上表面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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