[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本申请涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件的可靠性得到改进。在绝缘层上方形成光波导和p型半导体部分。在p型半导体部分上方形成包括n型半导体部分和盖层的多层本体。在覆盖光波导、p型半导体部分和多层本体的第一层间绝缘膜上方，形成位于光波导上方的加热器。在第一层间绝缘膜中，形成第一接触孔和第二接触孔。与p型半导体部分电耦合的第一接触部分连续地形成在第一接触孔中和第一层间绝缘膜上方。与盖层电耦合的第二接触部分连续地形成在第二接触孔中和第一层间绝缘膜上方。形成在第二层间绝缘膜上方的布线经由嵌入第二层间绝缘膜中的插塞而与加热器以及第一接触部分和第二接触部分电耦合。

主权项

1.一种半导体器件，包括：基底；绝缘层，形成在所述基底上方；第一光波导，形成在所述绝缘层上方；第一半导体部分，形成在所述绝缘层上方；第二半导体部分，形成在所述第一半导体部分上方；第一层间绝缘膜，形成在所述绝缘层上方，使得所述第一层间绝缘膜覆盖所述第一光波导、所述第一半导体部分和所述第二半导体部分；加热器部分，形成在所述第一层间绝缘膜上方和所述第一光波导上方；第一开口，形成在所述第一层间绝缘膜中，所述第一开口到达所述第一半导体部分的未被所述第二半导体部分覆盖的部分；第二开口，形成在所述第一层间绝缘膜中，所述第二开口到达所述第二半导体部分；第一耦合电极，连续地形成在所述第一开口中和所述第一层间绝缘膜上方，并且与所述第一半导体部分电耦合；第二耦合电极，连续地形成在所述第二开口中和所述第一层间绝缘膜上方，并且与所述第二半导体部分电耦合；第二层间绝缘膜，形成在所述第一层间绝缘膜上方，使得所述第二层间绝缘膜覆盖所述加热器部分、所述第一耦合电极和所述第二耦合电极；第一布线、第二布线和第三布线，形成在所述第二层间绝缘膜上方；第一导电插塞，嵌入在所述第二层间绝缘膜中，所述第一导电插塞将所述加热器部分与所述第一布线电耦合；第二导电插塞，嵌入在所述第二层间绝缘膜中，所述第二导电插塞将所述第一耦合电极与所述第二布线电耦合；和第三导电插塞，嵌入在所述第二层间绝缘膜中，所述第三导电插塞将所述第二耦合电极与所述第三布线电耦合。