[发明专利]发光晶体管及其发光方法、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201810691831.6 | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN108628038B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 陈东川;钱学强;王丹;刘冰洋;马新利 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13357 | 分类号: | G02F1/13357;H01L27/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种发光晶体管及其发光方法、阵列基板和显示装置。该发光晶体管包括:发光层;栅极,设置在所述发光层的一侧;以及源极和漏极,设置在所述发光层远离所述栅极的一侧,所述源极和所述漏极分别包括第一氧化石墨烯,所述发光层包括第二氧化石墨烯,所述第二氧化石墨烯的氧碳原子比大于所述第一氧化石墨烯的氧碳原子比。该发光晶体管提供一种新型的发光元件,并且具有发光颜色纯度高、结构简单、低功耗、轻薄、以及可用于柔性显示等特点。 | ||
搜索关键词: | 发光 晶体管 及其 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种发光晶体管,包括:发光层;栅极,设置在所述发光层的一侧;以及源极和漏极,设置在所述发光层远离所述栅极的一侧,其中,所述源极和所述漏极分别包括第一氧化石墨烯,所述发光层包括第二氧化石墨烯,所述第二氧化石墨烯的氧碳原子比大于所述第一氧化石墨烯的氧碳原子比。
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