[发明专利]在中空硫球表面包覆聚吡咯的方法有效

专利信息
申请号: 201810693326.5 申请日: 2018-06-29
公开(公告)号: CN108878838B 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 白羽;孙克宁;罗敏;马秉卿;杨微微;屈美秀 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/60;H01M10/0525
代理公司: 北京理工正阳知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 代理人: 鲍文娟
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种在中空硫球表面包覆聚吡咯的方法,属于锂硫电池正极材料领域。本发明以包覆在中空硫球表面的MnO2作为氧化剂引发吡咯在中空硫球和溶液固液界面原位聚合。在该反应中,先合成中空硫球,然后通过简单的高锰酸钾溶液氧化在硫球表面包覆MnO2,最后利用MnO2在稀盐酸中的强氧化性,在中空硫球和溶液固液界面原位均匀包覆聚吡咯。本发明相比于传统的直接将氧化剂加到液相中引发吡咯聚合的包覆方法,能使吡咯有效均匀地包覆在中空硫球表面。
搜索关键词: 中空 表面 包覆聚 吡咯 方法
【主权项】:
1.一种在中空硫球表面包覆聚吡咯的方法,其特征在于:具体步骤如下:步骤一、将聚乙烯吡咯烷酮和硫代硫酸钠溶于去离子水中,再加入浓盐酸,直至反应完全,然后离心洗涤后得到中空硫球;聚乙烯吡咯烷酮和硫代硫酸钠的质量比是1:50,硫代硫酸钠和浓盐酸的物质的量比是1:2;步骤二、将步骤一得到的中空硫球均匀分散于去离子水中,然后加入过量高锰酸钾,升温至70℃直至中空硫球表面的聚乙烯吡咯烷酮反应完全,降至室温、离心洗涤,得到S‑MnO2球;中空硫球表面聚乙烯吡咯烷酮被高锰酸钾氧化去除,高锰酸钾被还原成MnO2包覆在硫球表面;步骤三、将步骤二得到的S‑MnO2球均匀分散于去离子水中,再依次加入十二烷基硫酸钠和吡咯搅拌,搅拌均匀得到混合液;S‑MnO2的质量为十二烷基硫酸钠质量的10倍以下;吡咯与S‑MnO2的质量比为1:1;步骤四、向步骤三得到的混合液中加入过量稀盐酸引发聚合,反应完全,即聚吡咯完全包覆后,得到表面包覆聚吡咯的中空硫球;利用MnO2在酸性溶液中的强氧化性在中空硫球溶液固液界面原位引发吡咯聚合包覆,该反应中MnO2被聚吡咯取代;需保证稀盐酸中溶质的物质的量是MnO2的物质的量的4倍以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京理工大学,未经北京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810693326.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top