[发明专利]一种应用TSV技术的电子器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810693742.5 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108598056A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 陈柏炜;饶伟;王倩;于洋 | 申请（专利权）人： | 北京梦之墨科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种应用TSV技术的电子器件及其制作方法，涉及微电子技术领域。本发明提供的应用TSV技术的电子器件包括至少一个半导体衬底，所述半导体衬底上设置有至少一个连接孔，连接孔贯穿半导体衬底，连接孔内填充有导电体，导电体的一端用于与第一电子元件电连接，导电体的另一端用于与第二电子元件电连接，导电体具有第二熔点，导电体由导电复合材料在室温下自身内部发生反应后形成，导电复合材料为由具有第一熔点的低熔点金属和熔点在500℃以上的高熔点粉末部分合金化后形成的混合物，第二熔点高于所述第一熔点，且第一熔点在300℃以下。本发明的技术方案能够简单快速地应用TSV技术实现不同电子元件的电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 熔点 导电体 电子器件 电连接 连接孔 衬底 半导体 导电复合材料 应用 微电子技术领域 低熔点金属 高熔点粉末 技术实现 混合物 合金化 填充 制作 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种应用TSV技术的电子器件，其特征在于，所述电子器件包括至少一个半导体衬底，所述半导体衬底上设置有至少一个连接孔，所述连接孔贯穿所述半导体衬底，所述连接孔内填充有导电体，所述导电体的一端用于与第一电子元件电连接，所述导电体的另一端用于与第二电子元件电连接，所述导电体具有第二熔点，所述导电体由导电复合材料在室温下自身内部发生反应后形成，所述导电复合材料为由具有第一熔点的低熔点金属和熔点在500℃以上的高熔点粉末部分合金化后形成的混合物，所述第二熔点高于所述第一熔点，且所述第一熔点在300℃以下。
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