[发明专利]一种提纯八甲基环四硅氧烷的方法在审

专利信息
申请号: 201810694317.8 申请日: 2018-06-27
公开(公告)号: CN108929343A 公开(公告)日: 2018-12-04
发明(设计)人: 陈建刚;刘凯;张楠;母清林;张寅旭;秦威 申请(专利权)人: 合盛硅业(泸州)有限公司
主分类号: C07F7/21 分类号: C07F7/21
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 代理人: 李蕊;李林合
地址: 646000 *** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种提纯八甲基环四硅氧烷的方法,属于化工技术领域。本发明采用13X分子筛能够有效除去初品D4中的大部分金属杂质。本发明采用结晶方法能够进一步除去D4中因二甲基二氯硅烷中含有的微量杂质乙基二氯硅烷与二甲基二氯硅烷共同水解产生的五甲基乙基环三硅氧烷、七甲基乙基环四硅氧烷、九甲基乙基环五硅氧烷以及D3以前的杂质、D4与D5之间的杂质2-乙基-4,4,6,6,8,8,-六甲基环四硅氧烷等有机杂质和低沸点杂质,有效提高D4的纯度,提纯后的D4的纯度能够达到99.98%以上,能够直接用于光纤预制棒的生产。
搜索关键词: 提纯 八甲基环四硅氧烷 二甲基二氯硅烷 四硅氧烷 基环 乙基 分子筛 化工技术领域 乙基二氯硅烷 低沸点杂质 光纤预制棒 环三硅氧烷 金属杂质 六甲基环 微量杂质 有机杂质 硅氧烷 五甲基 水解 生产
【主权项】:
1.一种提纯八甲基环四硅氧烷的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将二甲基二氯硅烷水解物裂解粗环体依次通过脱低塔和脱高塔,分别脱去低沸点杂质和高沸点杂质,得到初品D4;(2)在初品D4中加入质量分数为15%~25%的庚烷溶液作为结晶溶剂,于20℃~30℃环境中混合溶解后,放置在-15℃~-5℃的温度下5~10分钟,出现针状结晶物,捣散溶液中的结晶物,并进行真空抽滤,得到纯净的结晶物;(3)将结晶物转移至20℃~30℃环境中使其熔化,熔化后的液体通过减压精馏塔进行减压精馏后,除去残留的庚烷,得到高纯D4。
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