[发明专利]一种氮化镓基HEMT器件的制备方法及氮化镓基HEMT器件在审
| 申请号： | 201810694477.2 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109037153A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;张葶葶;朱廷刚;朱友华 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L21/8258;H01L21/86;H01L27/085;H01L27/12 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种氮化镓基HEMT器件的制备方法及氮化镓基HEMT器件。所述方法包括：在预选定的衬底上依次外延生长缓冲层、沟道层、势垒层；在所述势垒层上沉积形成钝化层；对所述钝化层和所述势垒层的一部分进行刻蚀，形成凹槽；在所述凹槽中再生长p型氮化镓，使p型氮化镓填满所述凹槽；在所述p型氮化镓两侧分别形成第一源极和第一漏极，均插接至所述沟道层；在所述第一漏极的一侧形成第二源极和第二漏极；在所述p型氮化镓上形成第一栅极；在所述第二源极和所述第二漏极形成第二栅极。利用本申请中各个实施例，可以得到在同一片晶片上实现常开和常闭两种特性的氮化镓基HEMT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓基HEMT 漏极 势垒层 源极 钝化层 沟道层 制备 外延生长 缓冲层 再生长 插接 常闭 沉积 衬底 晶片 刻蚀 填满 申请 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基HEMT器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在预选定的衬底上依次外延生长缓冲层、沟道层、势垒层；在所述势垒层上沉积形成钝化层；对所述钝化层和所述势垒层的一部分进行刻蚀，形成凹槽，所述凹槽贯穿所述钝化层停止在所述势垒层；采用气相外延生长工艺在所述凹槽中再生长p型氮化镓，使p型氮化镓填满所述凹槽；在所述p型氮化镓两侧分别形成第一源极和第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极均插接至所述沟道层；在所述第一漏极远离所述p型氮化镓的一侧形成第二源极和第二漏极；在所述p型氮化镓上形成第一栅极，所述第一栅极与所述p型氮化镓形成肖特基接触；在所述第二源极和所述第二漏极之间形成第二栅极，所述第二栅极与所述势垒层形成肖特基接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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