[发明专利]一种带有双栅的变K槽型LDMOS在审
| 申请号： | 201810695355.5 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108666365A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 吴丽娟;朱琳;黄也;吴怡清;张银艳;雷冰 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410114 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及的带有双栅的变K槽型LDMOS属于功率半导体器件技术领域。本发明相对于传统结构具有以下三个特点：（1）在N型漂移区引入双介质槽以折叠漂移区，提高器件的耐压。（2）利用双RESURF技术在双槽之间引入的垂直P柱可以将等势线延伸至漂移区底部从而充分利用器件漂移区，调制器件体内电场可进一步提升器件的击穿电压还可大幅提高漂移区浓度降低比导通电阻。（3）当器件开启时双栅会给电流提供双导通沟道，从而降低器件的比导通电阻。本发明的有益效果为，具有比导通电阻低、耐压高和版图面积小的优点，尤其适用于超低比导通电阻的横向高压半导体功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 比导通电阻 漂移区 双栅 槽型 耐压 半导体功率器件 功率半导体器件 传统结构 电流提供 调制器件 横向高压 击穿电压 降低器件 浓度降低 提升器件 电场 等势线 双介质 引入 折叠 导通 沟道 双槽 垂直 体内 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种带有双栅的变K槽型LDMOS，其元胞结构包括P型衬底11、SiO2埋氧层21、N型漂移区31，N型漂移区31包括第一低K介质槽41、第二低K介质槽42，第一SiO2介质槽61、第二SiO2介质槽62、高浓度掺杂P条14、P阱区13。
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