[发明专利]图案化基板的制造方法及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201810695564.X | 申请日: | 2018-06-29 |
公开(公告)号: | CN109212887B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 金川裕树;村上圭 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;H01L21/027;H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种能够抑制多个凸部图案的变形的图案化基板的制造方法及半导体装置的制造方法。图案化基板的制造方法包括:准备工序,其准备曝光掩模,该曝光掩模具有多个内侧遮光部、与内侧遮光部的周边区域一体地连接的透光部、以及包围透光部的外侧遮光部;曝光工序,其使用曝光掩模,利用步进重复法对形成于基板的光刻胶层进行多次曝光,对光刻胶层进行多次曝光,以使内侧遮光部整体投影的内侧投影部配置为点阵状;显影工序,其在曝光工序后对光刻胶层进行显影;蚀刻工序,其将显影后的光刻胶层作为掩模,对基板进行蚀刻;在曝光工序中,对光刻胶层进行多次曝光,以在将规定的曝光中位于最外侧的一个内侧投影部、与配置在最接近其它的曝光中的多个内侧投影部之中规定的曝光中的一个内侧投影部的位置上的一个内侧投影部以最短距离连结的直线上,使与规定的曝光中的透光部对应的区域和与其它的曝光中的透光部对应的区域不重合,在其它的区域之中的至少一部分,使与规定的曝光中的透光部对应的区域和与其它的曝光中的透光部对应的区域重合。 | ||
搜索关键词: | 图案 化基板 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种图案化基板的制造方法,其特征在于,包括:准备工序,其准备曝光掩模,该曝光掩模具有配置为点阵状的多个内侧遮光部、将所述多个内侧遮光部各自的周边区域一体地连接的透光部、以及将所述透光部包围的外侧遮光部;曝光工序,其使用所述曝光掩模,利用步进重复法,对形成于基板上的光刻胶层进行多次曝光,并且为了使所述内侧遮光部所投影的内侧投影部整体配置为点阵状,而对所述光刻胶层进行多次曝光;显影工序,其在所述曝光工序后,对所述光刻胶层进行显影;蚀刻工序,其将显影后的所述光刻胶层作为掩模,对所述基板进行蚀刻;在所述曝光工序中,在将规定的曝光中的多个内侧投影部中的位于最外侧的一个内侧投影部与其它的曝光中的多个内侧投影部中的最接近所述规定的曝光中的所述一个内侧投影部而配置的一个内侧投影部以最短距离连结的直线上,使所述规定的曝光中的与所述透光部对应的区域和所述其它的曝光中的与所述透光部对应的区域不重合,另一方面,在其它区域中的至少一部分,使所述规定的曝光中的与所述透光部对应的区域和所述其它的曝光中的与所述透光部对应的区域重合,而对所述光刻胶层进行多次曝光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日亚化学工业株式会社,未经日亚化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810695564.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:鱼眼相机模组影像测试装置
- 下一篇:光学临近效应的修正方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备