[发明专利]校准片及基于该校准片对固态微波器件测试系统校准的方法在审
| 申请号： | 201810695769.8 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109061534A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 殷玉喆;温礼瑞;张旭勤 | 申请（专利权）人： | 中国电子技术标准化研究院 |
| 主分类号： | G01R35/00 | 分类号： | G01R35/00 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 100007 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种校准片及基于该校准片对固态微波器件测试系统校准的方法，本发明通过将水平薄膜电阻进行蛇形布线，或者通过将垂直薄膜电阻设置为多段并联的薄膜电阻，以使水平薄膜电阻与垂直薄膜电阻的比值r大于4:1或小于1:4，从而实现高驻波比的标准片。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜电阻 校准 器件测试系统 固态微波 垂直 蛇形 标准片 驻波比 比值r 并联 布线 多段 | ||
【主权项】：
1.一种大驻波比的校准片，其特征在于，包括：共面波导型平衡电桥结构和微带电路型平衡电桥结构；所述共面波导型平衡电桥结构和所述微带电路型平衡电桥结构内均设置中间岛；所述中间岛，水平方向，分别通过两个水平薄膜电阻与微波输入输出信号线连接，垂直方向，分别通过两个垂直薄膜电阻与共面波导地或微带地连接；通过调整水平薄膜电阻与垂直薄膜电阻的比值r得到大驻波比的校准片。
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