[发明专利]芯片内熔丝结构在审
| 申请号： | 201810696073.7 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108878404A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 张雨田 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种芯片内熔丝结构，金属线在作为熔丝熔断的区域宽度变窄，非熔断区域的金属丝宽度大于位于熔断区域内的金属丝宽度；金属线的上方覆盖绝缘介质层；绝缘介质层在金属丝熔断区域的两侧打开窗口，窗口向下深度直达金属丝熔断区域两侧；窗口离熔断区域之间间隔绝缘介质层。本发明所述的芯片内熔丝结构，采用分区段的熔丝结构，熔断区熔丝变窄，同时熔断区域两侧介质层开窗。降低熔丝工艺和其他相关工艺之间关联性，使得其生产良率和工艺窗口大大增加。 | ||
| 搜索关键词： | 熔断 熔丝结构 金属丝 绝缘介质层 熔丝 金属线 芯片 工艺窗口 宽度变窄 分区段 关联性 介质层 变窄 开窗 良率 覆盖 生产 | ||
【主权项】：
1.一种芯片内熔丝结构，其特征在于：熔丝在作为熔丝熔断的区域宽度变窄，非熔断区域的熔丝宽度大于位于熔断区域内的熔丝宽度；熔丝的上方覆盖绝缘介质层；绝缘介质层在熔丝熔断区域的两侧打开窗口，窗口向下深度直达熔丝熔断区域两侧；窗口离熔断区域之间间隔绝缘介质层。
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