[发明专利]沟槽栅超结器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810696314.8 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108807517B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅超结器件，包括：超结沟槽，由硬质掩膜层光刻刻蚀形成的第一开口定义；在超结沟槽和顶部的第一开口中填充有P型外延层并组成P型薄层；硬质掩膜层被去除且形成P型薄层的P型突出结构并由P型突出结构之间区域自对准形成顶部沟槽；在顶部沟槽的侧面和底部表面形成有第二N型外延层并自对准围成沟槽栅的栅极沟槽；栅极沟槽中形成由栅介质层和多晶硅栅。由P型薄层之间的第一和二N型外延层叠加形成N型薄层，超结由N型薄层和P型薄层交替排列形成。本发明还公开一种沟槽栅超结器件的制造方法。本发明能自对准定义出沟槽栅，从而能节省一张沟槽栅光罩并节约成本，还有利于器件的尺寸进一步的缩小。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅超结 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽栅超结器件，其特征在于，包括：超结沟槽，形成于第一N型外延层中；在所述第一N型外延层表面形成有硬质掩膜层，所述超结沟槽由所述硬质掩膜层光刻刻蚀形成的第一开口定义；在所述超结沟槽和顶部的所述第一开口中填充有P型外延层并组成P型薄层；在所述P型薄层形成后所述硬质掩膜层被去除且形成所述P型薄层的P型突出结构，所述P型突出结构由填充于所述第一开口中的P型外延层组成，所述P型突出结构之间自对准形成顶部沟槽；在所述顶部沟槽的侧面和底部表面形成有第二N型外延层，所述第二N型外延层在所述顶部沟槽内部自对准围成一个沟槽栅的栅极沟槽；在所述栅极沟槽的侧面和底部表面形成有所述沟槽栅的栅介质层，所述沟槽栅的多晶硅栅填充于形成有所述栅介质层的所述栅极沟槽中；由所述P型薄层之间的所述第一N型外延层和所述第二N型外延层叠加形成N型薄层，在所述N型薄层的顶部自对准形成有所述沟槽栅；超结由所述N型薄层和所述P型薄层交替排列形成。
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