[发明专利]软恢复功率半导体二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810696368.4 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108598153A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 许海东 | 申请（专利权）人： | 北京世港晟华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛 |
| 地址： | 100086 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种软恢复功率半导体二极管及其制备方法，该二极管包括：有源区和终端区；所述有源区包括：第一半导体层、第二半导体层、第一半导体区、第一电极。其中，第一半导体层，具有第一导电类型，且形成于漂移层的第一区；第二半导体层，具有第二导电类型，形成于所述漂移层的第一区；第一半导体区，具有所述第二导电类型，且穿设形成于所述第一半导体层和所述第二半导体层；所述第一半导体区中的掺杂电荷的浓度与所述第一半导体层中掺杂电荷的浓度相近。本发明具有在保证二极管软恢复特性的同时减小二极管正向导通压降、提高击穿电压等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 二极管 半导体区 半导体二极管 导电类型 电荷 第一区 漂移层 源区 制备 掺杂 第一导电类型 正向导通压降 恢复 第一电极 击穿电压 终端区 穿设 减小 保证 | ||
【主权项】：
1.一种软恢复功率半导体二极管，其特征在于，包括：有源区和终端区；所述有源区包括：第一半导体层，具有第一导电类型，且形成于漂移层的第一区；所述漂移层具有所述第一导电类型，且覆设于具有所述第一导电类型的衬底；第二半导体层，具有第二导电类型，形成于所述漂移层的第一区，且位于所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧；所述第一导电类型与所述第二导电类型不同；至少一个第一半导体区，具有所述第二导电类型，且穿设形成于所述第一半导体层和所述第二半导体层；所述第一半导体区的靠近所述衬底的侧面不超出所述第一半导体层的靠近所述衬底的侧面；在所述第一半导体区为多个的情况下，相邻两个所述第一半导体区之间具有第一间隔区域；第一电极，设置于所述第二半导体层和所述第一半导体区远离所述衬底的一侧；其中，所述第一半导体区中掺杂电荷的浓度与所述第一半导体层中掺杂电荷的浓度相近。
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