[发明专利]一种低介电常数和超低损耗的微波介质陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201810696525.1 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108439968A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 王丹;吉岸;王晓慧 | 申请（专利权）人： | 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/20 | 分类号： | C04B35/20;C04B35/622 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 陶纯佳 |
| 地址： | 214100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低介电常数和超低损耗的微波介质陶瓷及其制备方法，属于微波介质陶瓷技术领域。其组成表达式为aMg2SiO4‑bMgSiO3‑cMg2TiO4‑dMgTi2O5‑eTiO2的复合物，其中0.9≤a≤1,0≤b≤0.1，0≤c≤0.1，0≤d≤0.03，0≤e≤0.1，b＝2c+d。所述低介电常数和超低损耗的微波介质陶瓷，还包括稳定剂CaCO3。本发明采用复合物与CaCO3进行复配，原料相对于现有技术更为低廉，其制备工艺简单，无污染，产业化前景良好，能够在尽量不改变其介电常数的前提下，将材料的品质因数提高。 | ||
| 搜索关键词： | 微波介质陶瓷 低介电常数 超低损耗 复合物 制备 介电常数 品质因数 制备工艺 产业化 稳定剂 复配 | ||
【主权项】：
1.一种低介电常数和超低损耗的微波介质陶瓷，其特征是：其组成表达式为aMg2SiO4‑bMgSiO3‑cMg2TiO4‑d MgTi2O5‑eTiO2的复合物，其中0.9≤a≤1,0≤b≤0.1，0≤c≤0.1，0≤d≤0.03，0≤e≤0.1，b＝2c+d。
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