[发明专利]一种用于制备燃料电池用氢的薄膜催化剂及制备方法在审
| 申请号： | 201810696846.1 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108847495A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 陈庆;廖健淞 | 申请（专利权）人： | 成都新柯力化工科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/90 | 分类号： | H01M4/90;C25B1/04;C25B11/06 |
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| 地址： | 610091 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制备燃料电池用氢的薄膜催化剂及制备方法。所述掺杂碳化硅薄膜催化剂由以下步骤制得：a、将片状单晶硅置于CVD气相沉积炉中，真空下采用氩等离子体、碳源和P型掺杂源进行表面处理；b、将气源切换为氢等离子体进行表面处理；c、通入碳源、硅源和氮源进行外延生长后去除硅基底即得pn结结构型掺杂碳化硅薄膜催化剂。所述方法具有以下有益效果：本发明将硅与碳化硅复合，并形成同质pn结，显著提高了催化剂的可见光吸收率，降低了析氢电位，并可有效抑制电子和空穴对的复合，延长载流子的寿命，提高光催化活性，提升制氢效率，同时工艺简单，适宜于大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 催化剂 掺杂碳化硅薄膜 制备燃料电池 薄膜催化剂 制备 载流子 大规模工业化生产 空穴 可见光吸收率 单晶硅 光催化活性 气相沉积炉 氢等离子体 碳化硅复合 氩等离子体 气源切换 同质pn结 外延生长 析氢电位 有效抑制 氮源 硅基 硅源 制氢 去除 复合 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备燃料电池用氢的薄膜催化剂的制备方法，其特征在于：所述掺杂碳化硅薄膜催化剂是由片状单晶硅基底在CVD气相沉积炉中，先与碳源和P型掺杂源反应进行P型掺杂，然后通入碳源、硅源和氮源进行N型外延生长而制得，具体的制备步骤为：a、使用片状单晶硅作为基底，置于CVD气相沉积炉中，在真空条件下，使用氩等离子体、碳源和P型掺杂源进行表面处理；b、将气源切换为氢等离子体，继续进行表面处理；c、通入碳源、硅源和氮源进行外延生长，生长完成后去除硅基底，制得pn结结构型掺杂碳化硅薄膜催化剂。
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