[发明专利]半导体制造装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201810696992.4 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109216147B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 沈承辅;崔明善;姜南俊;成德镛;郑相旻;韩丙勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;赵南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体制造装置和操作半导体制造装置的方法。该半导体制造装置包括等离子体腔室、源电源以及第一偏置电源和第二偏置电源。源电源在第一时间将第一源电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二源电压施加至等离子体腔室。第一偏置电源在第一时间将第一导通电压施加至等离子体腔室并且在第二时间将第一截止电压施加至等离子体腔室。第二偏置电源在第一时间将第二截止电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二导通电压施加至等离子体腔室。等离子体腔室基于源电压、导通电压和截止电压从等离子体腔室中的气体混合物形成不同条件的等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造装置，包括：等离子体腔室，其接收含彼此不同的第一气体和第二气体的气体混合物；源电源，其在第一时间将第一电平的源电压施加至所述等离子体腔室，并且在第二时间将与所述第一电平不同的第二电平的源电压施加至所述等离子体腔室；第一偏置电源，其在所述第一时间将第一导通电压施加至所述等离子体腔室，并且在所述第二时间将第一截止电压施加至所述等离子体腔室；以及第二偏置电源，其在所述第一时间将第二截止电压施加至所述等离子体腔室，并且在所述第二时间将第二导通电压施加至所述等离子体腔室，其中，所述等离子体腔室在所述第一时间基于所述第一电平的源电压和所述第一导通电压由所述气体混合物形成第一条件的等离子体，并且在所述第二时间基于所述第二电平的源电压和所述第二导通电压由所述气体混合物形成与所述第一条件不同的第二条件的等离子体。
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