[发明专利]一种宽频带、大电感值、高Q值且Q值可独立调节的有源电感

摘要

本发明提供了一种宽频带、大电感值、高Q值且Q值可独立调节的有源电感。该有源电感包括：第一跨导单元，第二跨导单元，频带拓展单元，可调分流单元，反馈单元。第一跨导单元与第二跨导单元首尾连接实现电感基本功能，反馈单元与第一跨导单元的并联连接，不但增大了电感值，而且增大了等效输出电阻，减小了等效串联电阻，实现了高的Q值；频带拓展单元和可调分流单元分别与第一跨导单元串联和并联，分别减小了有源电感的等效输入电容进而实现了宽的工作频带和实现了对第一跨导单元电流的调节进而可对电感值进行调节。本有源电感适用于对电感有宽频带工作要求，且在宽频带内对Q值有独立调节要求的射频集成电路。

主权项

1.一种宽频带、大电感值、高Q值且Q值可独立调节的有源电感，其特征在于，包括：第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，频带拓展单元(3)，可调分流单元(4)，反馈单元(5)；所述第一跨导单元(1)包括第五N型MOS晶体管(M5)、第六N型MOS晶体管(M6)和第七P型MOS晶体管(M7)；第二跨导单元(2)包括第一N型MOS晶体管(M1)和第二N型MOS晶体管(M2)；频带拓展单元(3)包括第三N型MOS晶体管(M3)和第四N型MOS晶体管(M4)；可调分流单元(4)为第八N型MOS晶体管(M8)；反馈单元(5)包括第九N型MOS晶体管(M9)和第十P型MOS晶体管(M10)；所述有源电感的输入端(RFin)同时连接第一N型MOS晶体管(M1)的漏极、第二N型MOS晶体管(M2)的源极和第四N型MOS晶体管(M4)的栅极；第一N型MOS晶体管(M1)的栅极同时连接第五N型MOS晶体管(M5)的漏极、第六N型MOS晶体管(M6)的源极、第八N型MOS晶体管(M8)的漏极和第九N型MOS晶体管(M9)的栅极；第一N型MOS晶体管(M1)的源极连接地端；第二N型MOS晶体管(M2)的漏极与VDD相连；第二N型MOS晶体管(M2)的栅极同时与第六N型MOS晶体管(M6)的漏极和第七P型MOS晶体管(M7)的漏极相连；第三N型MOS晶体管(M3)的漏极同时与第三N型MOS晶体管(M3)的栅极、第四N型MOS晶体管(M4)的源极和第五N型MOS晶体管(M5)的栅极相连；第四N型MOS晶体管(M4)的漏极与VDD相连；第五N型MOS晶体管(M5)的源极连接地端；第六N型MOS晶体管(M6)的栅极同时与第九N型MOS晶体管(M9)的漏极和第十P型MOS晶体管(M10)的漏极相连；第七P型MOS管(M7)的源极连接VDD；第七P型MOS晶体管(M7)的栅极和第十P型MOS晶体管(M10)的栅极与第一可调电压源(Vtune1)相连；第八N型MOS晶体管(M8)的栅极与第二可调电压源(Vtune2)相连；第八N型MOS晶体管(M8)的源极连接地端；第九N型MOS晶体管(M9)的源极连接地端；第十P型MOS晶体管(M10)的源极连接VDD。