[发明专利]一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜在审
| 申请号： | 201810697432.0 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108878272A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 高超飞;葛晶涛;刘旭亮;沈文涛;张明照 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/205;H01L29/786;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 065000 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜，解决了现有技术中的多晶硅薄膜因在制备过程中结晶质量较低、多晶硅晶粒小、尺寸不均匀而导致的薄膜晶体管电学性能不佳的问题。本发明提供的多晶硅薄膜的制备方法包括：在衬底上形成非晶硅薄膜；采用第一溶液对非晶硅薄膜进行处理，第一溶液中溶有镍盐和臭氧；及对经过第一溶液处理的非晶硅薄膜进行晶化处理以形成多晶硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅薄膜 非晶硅薄膜 制备 薄膜晶体管 多晶硅晶粒 电学性能 晶化处理 溶液处理 制备过程 不均匀 衬底 镍盐 臭氧 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成非晶硅薄膜；采用第一溶液对所述非晶硅薄膜进行处理，所述第一溶液中溶有镍盐和臭氧；及对经过第一溶液处理的非晶硅薄膜进行晶化处理以形成多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
