[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810699054.X | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109216320B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 林志男;刘定一;范彧达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;宋洋 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置包括金属层、位于金属层上的绝缘层、以及位于金属层上并处于金属层与绝缘层之间的多层扩散阻障层。所述多层扩散阻障层包括含金属氮化物的第一材料层以及含金属氧化物的第二材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一金属层；一绝缘层，位于该金属层上；以及一多层扩散阻障层，位于该金属层上并位于该金属层与该绝缘层之间，且该多层扩散阻障层包括：一第一材料层，包含一金属氮化物；以及一第二材料层，包含一金属氧化物。
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