[发明专利]一种三维石墨烯硅碳负极复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810699107.8 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109065850A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 暴宁钟;何大方 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 210000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种三维石墨烯硅碳负极复合材料，以三维石墨烯为网络结构，三维石墨烯网络结构中嵌入核壳结构，其中，所述核壳结构为碳层包裹的纳米硅的核壳结构，且碳层和纳米硅之间具有空隙。本发明还提供了一种三维石墨烯硅碳负极复合材料的制备方法。本发明构建了集成硅纳米化、碳包裹和三维石墨烯包覆于一体的跨纳微尺度分级保护复合结构的三维石墨烯硅碳负极复合材料，该结构在硅与表面包裹的碳之间构筑特殊的空隙，可缓冲硅的在充放电过程中出现的巨大体积变化和对包裹的碳层的破坏；同时，将碳包裹硅的核壳结构嵌入在三维石墨烯网络结构中，利用石墨烯卓越的导电性进一步提升硅碳负极复合材料的导电性能，实现大幅度提升硅碳复合材料在大倍率电流下的循环性能。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 三维 负极复合材料 硅碳 核壳结构 网络结构 纳米硅 碳包裹 碳层 制备 嵌入 硅碳复合材料 充放电过程 导电性 表面包裹 导电性能 分级保护 复合结构 碳层包裹 体积变化 循环性能 大倍率 硅纳米 可缓冲 微尺度 包覆 构建 构筑 | ||
【主权项】：
1.一种三维石墨烯硅碳负极复合材料，其特征在于：以三维石墨烯为网络结构，三维石墨烯网络结构中嵌入核壳结构，其中，所述核壳结构为碳层包裹的纳米硅的核壳结构，且碳层和纳米硅之间具有空隙。
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