[发明专利]ZnO/Si纳米/微米柱阵列敏感材料及其制备方法和传感器有效
| 申请号： | 201810701499.7 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108956714B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 杨为家;何鑫;沈耿哲;江嘉怡;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;蒋庭辉;劳锦棠 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO/Si纳米/微米柱阵列敏感材料，包括Si衬底、Si纳米/微米柱阵列、ZnO薄膜、Pt纳米粒子及电极材料，所述Si衬底上设置有Si纳米/微米柱阵列，所述Si纳米/微米柱阵列表面包裹有ZnO薄膜，所述ZnO薄膜表面负载有金属纳米粒子，所述Si纳米/微米柱阵列的顶部还设置有电极材料；所述金属纳米粒子为Pt、Au、Ag、Ni、Fe纳米粒子中的至少一种；还公开了该敏感材料的制备方法和传感器。通过控制Si纳米/微米柱阵列的有序性和均一性，调控ZnO和金属纳米粒子的分散效果，利用Si纳米/微米柱阵列的特殊光学特性及金属纳米粒子的局域表面等离子体增强效应提高传感器的灵敏度和整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | zno si 纳米 微米 阵列 敏感 材料 及其 制备 方法 传感器 | ||
【主权项】：
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