[发明专利]一种改进的MPCVD设备基板台冷却结构在审
申请号: | 201810705213.2 | 申请日: | 2018-07-01 |
公开(公告)号: | CN108866514A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 黄翀;范杰 | 申请(专利权)人: | 长沙新材料产业研究院有限公司 |
主分类号: | C23C16/517 | 分类号: | C23C16/517;C23C16/52;C23C16/458;C23C16/46 |
代理公司: | 武汉智汇为专利代理事务所(普通合伙) 42235 | 代理人: | 李恭渝 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及一种改进的MPCVD设备基板台冷却结构,包括基板台支撑台、设置有冷却液出口的冷却管,还包括设置于冷却液出口处的喷头,所述基板台支撑台底部非接触基板台的一侧面为中间凹、两侧高的底部弧面,所述喷头的一端连接冷却管,另一端喷口处设置有截面面积覆盖基板台支撑台底面面积的托水板。本发明使冷却液经过冷却管进入喷头并储存于喷头内,喷头的另一端喷口处设置有截面面积覆盖基板台支撑台底面面积的托水板,托水板呈弧形状与所述底部弧面形状匹配,托水板与底部弧面之间留有均匀的缝隙用于流出冷却液,冷却液均匀分布在基板台底部,实现基板台底部全覆盖,进而使基板台得以均匀冷却。 | ||
搜索关键词: | 基板台 喷头 冷却液 托水板 底部弧面 冷却管 支撑台底面 冷却结构 面积覆盖 设备基板 喷口处 支撑台 冷却液出口 均匀冷却 形状匹配 一端连接 非接触 弧形状 全覆盖 改进 流出 储存 侧面 | ||
【主权项】:
1.一种改进的MPCVD设备基板台冷却结构,包括基板台支撑台、设置有冷却液出口的冷却管,还包括设置于冷却液出口处的喷头,其特征在于,所述基板台支撑台底部非接触基板台的一侧面为中间凹、两侧高的底部弧面,所述喷头的一端连接冷却管,另一端喷口处设置有截面面积覆盖基板台支撑台底面面积的托水板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙新材料产业研究院有限公司,未经长沙新材料产业研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810705213.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种化学气相沉积工艺
- 下一篇:一种薄膜太阳能电池吸收层的沉积掺杂装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的