[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201810705802.0 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN109216328A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 文瑄敏;朴瑛琳;曹圭镐;林汉镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，其包括顺序地设置在衬底上的底电极、电介质层和顶电极。电介质层包括铪氧化物层和氧化籽晶层，铪氧化物层包含具有四方晶体结构的铪氧化物，氧化籽晶层包含氧化籽晶材料。氧化籽晶材料具有一晶格常数，该晶格常数与具有四方晶体结构的铪氧化物的水平晶格常数和垂直晶格常数中的一个拥有6％或更小的晶格失配。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化籽晶 铪氧化物 晶格常数 四方晶体结构 半导体器件 电介质层 晶格失配 底电极 顶电极 衬底 平晶 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：设置在衬底上的底电极；设置在所述底电极上的顶电极；以及电介质层，其包括：包含铪氧化物的铪氧化物层，所述铪氧化物具有拥有垂直晶格常数和水平晶格常数的四方晶体结构；以及包含氧化籽晶材料的氧化籽晶层，其中所述氧化籽晶材料具有一晶格常数，该晶格常数与所述铪氧化物的所述水平晶格常数和所述垂直晶格常数中的一个具有6％或更小的晶格失配。
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