[发明专利]一种可控同位素中子源在审

专利信息
申请号: 201810707116.7 申请日: 2018-07-02
公开(公告)号: CN110473646A 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 苏耿华;石厦青;包鹏飞 申请(专利权)人: 中广核研究院有限公司;中国广核集团有限公司;中国广核电力股份有限公司
主分类号: G21G4/02 分类号: G21G4/02
代理公司: 44238 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 代理人: 孙威;潘中毅<国际申请>=<国际公布>=
地址: 518000 广东省深圳市福田区上步中路*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种可控同位素中子源,包括:密封容器;设在密封容器中的用以镀α粒子发射体的基体,α粒子发射体镀层设在基体外周的部分区域;设在密封容器中的金属靶核,金属靶核设置在基体的周围,且与基体的外周保持一定的距离,其中:基体和/或金属靶核设为可绕轴旋转,使改变基体上α粒子发射体镀层与金属靶核的相对位置获得不同强度中子源,使改变基体的旋转速度获得不同频率的中子束脉冲。实施本发明的可控同位素中子源,中子源强可调,能够获得不同频率的中子束脉冲;实现中子发射的开关控制,使得中子源的安全性得到提高;结构简单,体积小,重量轻。
搜索关键词: 金属靶 密封容器 发射体 中子源 粒子 同位素中子源 中子束 脉冲 镀层 可控 外周 开关控制 绕轴旋转 位置获得 中子发射 体积小 重量轻 可调
【主权项】:
1.一种可控同位素中子源,其特征在于,包括:/n密封容器;/n设在所述密封容器中的用以镀α粒子发射体的基体,所述α粒子发射体镀层设在所述基体外周的部分区域;/n设在所述密封容器中的金属靶核,所述金属靶核设置在所述基体的周围,且与所述基体的外周保持一定的距离,其中:所述基体和/或所述金属靶核设为可绕轴旋转,使改变基体上α粒子发射体镀层与金属靶核的相对位置获得不同强度中子源,使改变基体的旋转速度获得不同频率的中子束脉冲。/n
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