[发明专利]一种CMOS图像传感器三维封装方法在审
申请号: | 201810707931.3 | 申请日: | 2018-07-02 |
公开(公告)号: | CN109148495A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 张卫;何振宇;陈琳;孙清清 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开一种CMOS图像传感器的三维封装方法,包括以下步骤:提供图像传感器芯片;在图像传感器芯片上采用后道工序形成金属互连层;形成重新布线层;形成钝化层;形成第一触点柱;提供协处理器芯片;将所述协处理器芯片的衬底进行减薄处理;形成硅通孔并钝化处理;形成第二触点柱;以及将所述第一触点柱和所述第二触点柱对应,使所述图像传感器芯片与所述协处理器芯片相互连接。本发明有效提高了芯片的集成度。同时,芯片间垂直互联,通过重新布线层实现图像传感器和图像处理器之间的通讯,降低了寄生效应。 | ||
搜索关键词: | 触点柱 图像传感器芯片 协处理器芯片 重新布线层 三维封装 芯片 金属互连层 图像处理器 图像传感器 钝化处理 寄生效应 减薄处理 集成度 钝化层 硅通孔 衬底 垂直 互联 通讯 | ||
【主权项】:
1.一种CMOS图像传感器的三维封装方法,其特征在于,具体步骤为:提供图像传感器芯片;在图像传感器芯片上采用后道工序形成金属互连层;在上述金属互连层形成重新布线层;在经上述处理的图像传感器芯片上形成钝化层;将图像传感器的硅衬底背面通过硅通孔将电路连接引出形成接触点形成第一触点柱;提供协处理器芯片;将所述协处理器芯片的衬底进行减薄处理;形成硅通孔并钝化处理;在协处理器和图像传感器所对应的位置上引出电路接触点形成第二触点柱;以及将所述第一触点柱和所述第二触点柱对应,使所述图像传感器芯片与所述协处理器芯片相互连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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