[发明专利]一种CMOS图像传感器三维封装方法在审

专利信息
申请号: 201810707931.3 申请日: 2018-07-02
公开(公告)号: CN109148495A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 张卫;何振宇;陈琳;孙清清 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;陆尤
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种CMOS图像传感器的三维封装方法,包括以下步骤:提供图像传感器芯片;在图像传感器芯片上采用后道工序形成金属互连层;形成重新布线层;形成钝化层;形成第一触点柱;提供协处理器芯片;将所述协处理器芯片的衬底进行减薄处理;形成硅通孔并钝化处理;形成第二触点柱;以及将所述第一触点柱和所述第二触点柱对应,使所述图像传感器芯片与所述协处理器芯片相互连接。本发明有效提高了芯片的集成度。同时,芯片间垂直互联,通过重新布线层实现图像传感器和图像处理器之间的通讯,降低了寄生效应。
搜索关键词: 触点柱 图像传感器芯片 协处理器芯片 重新布线层 三维封装 芯片 金属互连层 图像处理器 图像传感器 钝化处理 寄生效应 减薄处理 集成度 钝化层 硅通孔 衬底 垂直 互联 通讯
【主权项】:
1.一种CMOS图像传感器的三维封装方法,其特征在于,具体步骤为:提供图像传感器芯片;在图像传感器芯片上采用后道工序形成金属互连层;在上述金属互连层形成重新布线层;在经上述处理的图像传感器芯片上形成钝化层;将图像传感器的硅衬底背面通过硅通孔将电路连接引出形成接触点形成第一触点柱;提供协处理器芯片;将所述协处理器芯片的衬底进行减薄处理;形成硅通孔并钝化处理;在协处理器和图像传感器所对应的位置上引出电路接触点形成第二触点柱;以及将所述第一触点柱和所述第二触点柱对应,使所述图像传感器芯片与所述协处理器芯片相互连接。
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