[发明专利]一种光通信波段低发散角DFB半导体激光器的制备方法有效
| 申请号： | 201810709449.3 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN108963754B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 薛正群;苏辉;黄章挺;邓仁亮;李敬波 | 申请（专利权）人： | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/125 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350003 福建省福州市鼓楼*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种光通信波段低发散角DFB半导体激光器的制备方法，首先在N‑InP衬底上外延生长增益区；表面沉积SiO2介质层，光刻形成光场扩展结构选择生长区域，湿法腐蚀选择生长区域至衬底层；在生长增益区制备均匀布拉格光栅，腐蚀形成光栅，生长光栅覆盖层；上沉积SiO2介质层，光刻形成脊型结构，并采用溴素系腐蚀液腐蚀形成脊波导结构，脊波导在增益区域为直波导，在光场扩展区域为锥形波导；采用MOCVD完成外延生长，并进行后续激光器制备工艺：阻挡层再生长、最后生长；双沟槽制作，脊型开孔，蒸镀P面金属、减薄、蒸镀N面金属，氮气氛围中合金，解离，蒸镀端面光学膜，完成激光器芯片的制备。本发明降低激光器芯片发散角，提高器件至单模光纤的耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光通信 波段 发散 dfb 半导体激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光通信波段低发散角DFB半导体激光器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1:在N‑InP衬底片上通过MOCVD外延生长增益区;步骤S2:采用PECVD沉积SiO2介质层，通过光刻形成选择生长区域，并在选择生长区域外延生长光场扩展区域；步骤S3:在生长增益区制备均匀布拉格光栅，腐蚀形成光栅，生长光栅覆盖层；步骤S4采用PECVD沉积SiO2介质层，光刻形成脊型结构，并采用溴素系腐蚀液腐蚀形成脊波导结构，脊波导在增益区域为直波导，在光场扩展区域为锥形波导;步骤S5:采用MOCVD完成外延生长；步骤S6:制备与脊型波导平行的双沟结构，并在脊型表面开孔；步骤S7:最后通过蒸镀P面金属，减薄，蒸镀N面金属，合金，解离成巴条，蒸镀光学膜，完成激光器芯片制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建中科光芯光电科技有限公司，未经福建中科光芯光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810709449.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
