[发明专利]一种α-MgAgSb基纳米复合热电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810709524.6 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN109087987B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 杨君友;辛集武;姜庆辉;李思慧;陈颖;李鑫;李苏维;舒亮 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于热电材料的制备技术领域，公开了一种α‑MgAgSb基纳米复合热电材料及其制备方法，其中，该复合热电材料是在未掺杂的α‑MgAgSb热电材料内掺入SnTe纳米材料，由此得到α‑MgAgSb基纳米复合热电材料。本发明通过对掺杂物质的组成及相应制备方法进行改进，通过向单相α‑MgAgSb材料中掺入纳米复合窄带隙p型SnTe半导体，制备得到了一种α‑MgAgSb系纳米复合热电材料，大幅提高了α‑MgAgSb基材料的热电性能，相较于常规的晶格掺杂的α‑MgAgSb热电材料提升效果显著，具有很好的工业化生产和应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mgagsb 纳米 复合 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种α‑MgAgSb基纳米复合热电材料，其特征在于，该复合热电材料是在未掺杂的α‑MgAgSb热电材料内掺入SnTe纳米材料，由此得到α‑MgAgSb基纳米复合热电材料。
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