[发明专利]形成三维存储器的方法以及三维存储器有效
| 申请号： | 201810710256.X | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN108878437B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 宋玉洁;霍宗亮;夏志良;华文宇;刘藩东 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11548 | 分类号： | H01L27/11548;H01L27/11551;H01L27/11575;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种形成三维存储器的方法以及三维存储器。该三维存储器，包括阵列存储区，所述阵列存储区具有至少一个块存储区，所述块存储区包括：具有衬底和位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括沿与所述衬底垂直的方向交替层叠的栅极层和介电层；间隔设置的第一栅极隔槽和第二栅极隔槽；位于所述第一栅极隔槽和第二栅极隔槽之间的贯穿阵列阻隔结构；以及位于所述第一栅极隔槽和第二栅极隔槽之间的一个或多个第三栅极隔槽，所述一个或多个第三栅极隔槽中的至少一个第三栅极隔槽在所述贯穿阵列阻隔结构处断开。本发明可以在不增大阵列存储区尺寸的情况下扩大栅极隔槽与贯穿阵列阻隔结构之间的间距。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 三维 存储器 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器，包括阵列存储区，所述阵列存储区具有至少一个块存储区，所述块存储区包括：具有衬底和位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括沿与所述衬底垂直的方向交替层叠的栅极层和介电层；间隔设置的第一栅极隔槽和第二栅极隔槽；位于所述第一栅极隔槽和第二栅极隔槽之间的贯穿阵列阻隔结构；以及位于所述第一栅极隔槽和第二栅极隔槽之间的一个或多个第三栅极隔槽，所述一个或多个第三栅极隔槽中的至少一个第三栅极隔槽在所述贯穿阵列阻隔结构处断开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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