[发明专利]一种IGBT并联电路的均流控制方法及装置

摘要

本发明提出的一种IGBT并联电路的均流控制方法及装置，通过判断叠层母排的直流端子与并联的各IGBT半桥模块直流端子间的杂散电感是否一致，来确定是否存在均流问题，存在均流问题是通过仿真的方法设计叠层母排正、负铜片上进行挖空处理的面积及挖空，并通过在叠层母排正、负铜片上进行挖空处理来实现IGBT并联电路的均流，此方法能够较好优化并联模块动态均流性能，提高系统可靠性，在提高功率模块带负载能力的同时降低系统成本。

主权项

1.一种IGBT并联电路的均流控制方法，所述IGBT并联电路包括n个IGBT半桥模块和1个叠层母排；每个所述IGBT半桥模块的第一直流端子均通过所述叠层母排的正极铜片与所述叠层母排的正极直流端子电连接；每个所述IGBT半桥模块的第二直流端子均通过所述叠层母排的负极铜片与所述叠层母排的负极直流端子电连接；其特征在于，所述方法包括：测量所述叠层母排的正极直流端子和负极直流端子到每个所述IGBT半桥模块直流端子的杂散电感，得到每个所述IGBT半桥模块对应的杂散电感组；判断n个所述IGBT半桥模块对应的所述杂散电感组是否均一致，若不一致，则在所述叠层母排的正极铜片和负极铜片上确定挖空的位置及面积；基于所述挖空的位置及面积在所述正极铜片和负极铜片上进行挖空处理。