[发明专利]非易失性存储系统及其读取方法有效
| 申请号： | 201810711889.2 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108986865B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李前辉;王颀;徐启康;王乾乾;卫婷婷;杨柳 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储系统及其读取方法。非易失性存储系统可包括：存储单元阵列，具有多个存储单元；字线电压产生器，产生提供给存储单元的第一尝试读取电压和第二尝试读取电压，其中第一和第二尝试读取电压适于将处于最高态的存储单元按照阈值电压分为三个部分，第二尝试读取电压小于第一尝试读取电压；控制逻辑，确定处于最高态下的存储单元中，阈值电压高于第一尝试读取电压的第一部分存储单元的第一数量以及阈值电压介于第一和第二尝试读取电压之间的第二部分存储单元的第二数量；电压偏移确定模块，根据第一数量和第二数量确定对应最高态的第一阈值电压偏移量，以及根据第一阈值电压偏移量确定最高态以外的分布态的第二阈值电压偏移量。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储系统 及其 读取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储系统，包括：存储单元阵列，具有多个存储单元；字线电压产生器，用于产生提供给所述多个存储单元的第一尝试读取电压和第二尝试读取电压，其中所述第一尝试读取电压和第二尝试读取电压适于将处于最高态的存储单元按照阈值电压分为三个部分，所述第二尝试读取电压小于所述第一尝试读取电压；控制逻辑，配置为确定处于最高态下的存储单元中，阈值电压高于所述第一尝试读取电压的第一部分存储单元的第一数量以及阈值电压介于所述第一尝试读取电压和第二尝试读取电压之间的第二部分存储单元的第二数量；电压偏移确定模块，根据所述第一数量和所述第二数量确定对应所述最高态的第一阈值电压偏移量，以及根据所述第一阈值电压偏移量确定所述最高态以外的分布态的第二阈值电压偏移量。
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