[发明专利]离子迁移谱漂移区复用装置及方法有效
| 申请号： | 201810712360.2 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN108878252B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 高晓光;何秀丽;贾建;李建平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J49/00 | 分类号： | H01J49/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种离子迁移谱漂移区复用装置，包括：离子源，设置于所述复用装置的一侧；离子门，紧邻离子源设置；离子检测区，设置于所述复用装置的另一侧，以及离子迁移谱漂移区，设置于所述离子门和离子检测区之间，包括：至少一组电阻膜，每组电阻膜包括：上电阻膜，处于离子迁移谱漂移区上边界内壁，两端分别引出电极1和电极3；以及下电阻膜，处于离子迁移谱漂移区下边界内壁，两端分别引出电极2和电极4，从而得到更高的离子分辨率及更快的检测速度，更快地获得特征离子迁移率的更多信息。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 迁移 漂移 区复用 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子迁移谱漂移区复用装置，包括：离子源，设置于所述复用装置的一侧；离子门，紧邻离子源设置；离子检测区，设置于所述复用装置的另一侧，以及离子迁移谱漂移区，设置于所述离子门和离子检测区之间，包括：至少一组电阻膜，每组电阻膜包括：上电阻膜，处于离子迁移谱漂移区上边界内壁，两端分别引出电极(1)和电极(3)；以及下电阻膜，处于离子迁移谱漂移区下边界内壁，两端分别引出电极(2)和电极(4)。
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