[发明专利]利用离子束加厚非晶四面体碳涂层的方法及装置及涂层有效
申请号: | 201810713176.X | 申请日: | 2018-06-29 |
公开(公告)号: | CN108893711B | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 康永锋;张泽龙;李斌;赵玉清 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/46 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种利用离子束加厚非晶四面体碳涂层的方法及装置及涂层,包括以下步骤:1、在基体表面制备非晶四面体碳涂层,当制备的非晶四面体碳涂层达到设定单次沉积厚度时,开启冷阴极潘宁离子源,用氩离子轰击基体表面。2、轰击2min‑12min后,关断冷阴极潘宁离子源,继续在基体表面制备非晶四面体碳涂层。3、重复上述步骤N次,直至制备的非晶四面体碳涂层达到设定总厚度。解决了现有技术中非晶四面体碳薄膜难以加厚的问题,本发明可以减小薄膜应力,加厚非晶四面体碳薄膜,延长涂层的使用寿命,实现工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 利用 离子束 厚非 四面体 涂层 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.利用离子束加厚非晶四面体碳涂层的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤(a):在基体表面制备非晶四面体碳涂层,当制备的非晶四面体碳涂层达到设定单次沉积厚度时,开启冷阴极潘宁离子源(10),用氩离子轰击基体表面;步骤(b):轰击2min‑12min后,关断冷阴极潘宁离子源(10),继续在基体表面制备非晶四面体碳涂层;步骤(c):重复N次步骤(a)~(b),直至制备的非晶四面体碳涂层达到设定总厚度。
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