[发明专利]柔性储能薄膜及其制备方法、薄膜电容器在审
| 申请号： | 201810713410.9 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660582A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 冯雪;王志建;陈颖 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学 |
| 主分类号： | H01G4/002 | 分类号： | H01G4/002;H01G4/005;H01G4/12;H01G4/33;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 33250 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李丽华 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种柔性储能薄膜及其制备方法、薄膜电容器。所述制备方法包括：提供一柔性金属衬底；以钛酸锶作为靶材，采用磁控溅射方法在所述柔性金属衬底上沉积形成钛酸锶薄膜预制层；对沉积有钛酸锶薄膜预制层的柔性金属衬底进行热处理，得到钛酸锶薄膜；以及在所述钛酸锶薄膜上形成电极层，得到柔性储能薄膜。该储能薄膜采用钛酸锶材料，通过该制备方法实现储能薄膜的柔性化，同时还使储能薄膜具有高介电常数、低介电损耗、高击穿场强和高储能密度，可以用作薄膜电容器的电介质材料。 | ||
| 搜索关键词： | 储能 钛酸锶薄膜 薄膜 柔性金属 衬底 制备 薄膜电容器 预制层 沉积 低介电损耗 电介质材料 高介电常数 钛酸锶材料 热处理 磁控溅射 击穿场强 电极层 高储能 柔性化 钛酸锶 靶材 | ||
【主权项】：
1.一种柔性储能薄膜的制备方法，其特征在于，包括：/n提供一柔性金属衬底；/n以钛酸锶作为靶材，采用磁控溅射方法在所述柔性金属衬底上沉积形成钛酸锶薄膜预制层；/n对沉积有钛酸锶薄膜预制层的柔性金属衬底进行热处理，得到钛酸锶薄膜；以及/n在所述钛酸锶薄膜上形成电极层，得到柔性储能薄膜。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学，未经浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810713410.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种四联防爆片自动适应安装的电容器
- 下一篇：薄膜电容器
