[发明专利]一种高频半导体薄膜场效应管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810713580.7 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660864A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王一鸣;梁广大;宋爱民;辛倩 | 申请（专利权）人： | 山东大学苏州研究院;山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 11676 北京华际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 褚庆森 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的高频半导体薄膜场效应管，包括衬底、半导体层、栅介质层、源极、漏极和栅极，栅介质层与栅极之间设置有耐栅极刻蚀液腐蚀的阻隔层。本发明的薄膜场效应管的制备方法包括：a).制备半导体层；b).制备栅介质层；c).沉积阻隔层；d).制备铝薄膜；e).定义器件范围；f).旋涂光刻胶；g).刻蚀沟道；h).刻蚀氧化铝薄膜；i).制备源、漏电极；j).剥离处理。本发明的高频半导体薄膜场效应管及制备方法，使用线宽极限为2～3微米的紫外光刻方法，可获得亚微米尺寸长度的沟道，极大降低了制作成本，源、漏极与栅极之间的间隔极窄，没有寄生电容，有效提高了半导体薄膜场效应管的高频截止频率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 薄膜场效应 栅介质层 高频半导体 半导体层 阻隔层 漏极 高频截止频率 半导体薄膜 氧化铝薄膜 剥离处理 场效应管 定义器件 寄生电容 刻蚀沟道 紫外光刻 光刻胶 刻蚀液 漏电极 铝薄膜 沉积 衬底 沟道 刻蚀 线宽 旋涂 源极 腐蚀 制作 | ||
【主权项】：
1.一种高频半导体薄膜场效应管，包括衬底（1）、半导体层（2）、栅介质层（3）、源极（5）、漏极（6）和栅极（7），衬底由绝缘材料构成，半导体层设置于衬底上，栅介质层设置于半导体层的中央，栅极位于栅介质层的上方，源极和漏极分别设置于栅介质层两侧的半导体层上；其特征在于：所述栅介质层与栅极之间设置有耐栅极刻蚀液腐蚀的阻隔层（4）。/n
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