[发明专利]一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池在审
| 申请号： | 201810713687.1 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN108666387A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 杨振英;卢刚;王海;何凤琴;郑璐;钱俊;王旭辉 | 申请（专利权）人： | 黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 810007 青*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，包括一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；依次设于N型单晶硅基体正面的本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；依次沉积于N型单晶硅基体背面的掺杂N+层和本征非晶硅背钝化层；间隔设于本征非晶硅背钝化层上的背面N型非晶硅层和P型非晶硅层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层上的接触层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层之间的绝缘隔离层。本发明的背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 本征非晶硅 背面 背接触 钝化层 异质结 光电转换效率 绝缘隔离层 基体正面 减反层 接触层 沉积 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，其特征在于，包括：一N型单晶硅基体(1)，所述N型单晶硅基体(1)具有相对的一正面和一背面；依次设于所述N型单晶硅基体(1)正面的本征非晶硅前钝化层(2)、正面N型非晶硅层(3)和减反层(4)；依次沉积于所述N型单晶硅基体(1)背面的掺杂N+层(5)和本征非晶硅背钝化层(6)；间隔设于所述本征非晶硅背钝化层(6)上的背面N型非晶硅层(7)和P型非晶硅层(8)；设于所述背面N型非晶硅层(7)和所述P型非晶硅层(8)上的接触层(9)；设于所述背面N型非晶硅层(7)和所述P型非晶硅层(8)之间的绝缘隔离层(10)。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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