[发明专利]半导体结构、光电器件、光探测器及光探测仪有效
| 申请号： | 201810713762.4 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110676341B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张科;魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构、光电器件、光探测器及光谱仪。本发明提供了新型的基于混合维度异质结构的半导体结构以及其相关应用。半导体结构包括：一半导体层；至少一根金属型碳纳米管，该至少一根金属型碳纳米管设置于所述半导体层的第一表面；至少一石墨烯层，该至少一石墨烯层设置于所述半导体层的第二表面，使所述半导体层设置于所述至少一根金属型碳纳米管和所述至少一石墨烯层之间，所述至少一根金属型碳纳米管与所述至少一石墨烯层纵横交叉设置，而形成至少一个交叉层叠区域，在每一个交叉层叠区域，所述金属型碳纳米管、所述半导体层及所述石墨烯层相互层叠形成一多层立体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 光电 器件 探测器 探测仪 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括：一半导体层，该半导体层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；至少一根金属型碳纳米管，该至少一根金属型碳纳米管设置于所述半导体层的第一表面；至少一石墨烯层，该至少一石墨烯层设置于所述半导体层的第二表面，使所述半导体层设置于所述至少一根金属型碳纳米管和所述至少一石墨烯层之间，所述至少一根金属型碳纳米管与所述至少一石墨烯层纵横交叉设置，而形成至少一个交叉层叠区域，在每一个交叉层叠区域，所述金属型碳纳米管、所述半导体层及所述石墨烯层相互层叠形成一多层立体结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
