[发明专利]存储器、其写入方法与读取方法在审
| 申请号： | 201810714151.1 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660428A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 熊保玉;何世坤;刘少鹏 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/404 | 分类号： | G11C11/404 |
| 代理公司： | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 韩建伟;霍文娟 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种存储器、其写入方法与读取方法。该存储器包括多个存储单元，各存储单元包括一个MOS管、N个串联的MTJ、位线、字线和源线，N个MTJ设置在MOS管的表面上且沿远离MOS管方向上依次叠置设置，N个MTJ中，与MOS管距离最小的MTJ为底端MTJ，与MOS管距离最大的MTJ为顶端MTJ，底端MTJ的一端与MOS管的源极和漏极中的一个电连接，源线与源极和漏极中的另一个电连接，顶端MTJ的一端与位线电连接，MOS管的栅极和字线电连接，N≥2，且N为整数。该存储器的存储单元在同样的面积下，可以存储更多的信息，可以实现高密度存储。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 存储单元 电连接 底端 漏极 位线 源极 源线 读取 高密度存储 字线电 叠置 字线 串联 写入 存储 申请 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括多个存储单元，各所述存储单元包括一个MOS管、N个串联的MTJ、位线、字线和源线，N个所述MTJ设置在所述MOS管的表面上且沿远离所述MOS管方向上依次叠置设置，N个所述MTJ中，与所述MOS管距离最小的所述MTJ为底端MTJ，与所述MOS管距离最大的所述MTJ为顶端MTJ，所述底端MTJ的一端与所述MOS管的源极和漏极中的一个电连接，所述源线与所述源极和所述漏极中的另一个电连接，所述顶端MTJ的一端与所述位线电连接，所述MOS管的栅极和所述字线电连接，N≥2，且N为整数。/n
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