[发明专利]一种提高高深宽比钨合金刻蚀均匀性的方法有效
| 申请号： | 201810714556.5 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109110726B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈兢;李轩扬;宋璐;夏雁鸣 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 邵可声 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高高深宽比钨合金刻蚀均匀性的方法，步骤包括：在钨合金基底上生长硬掩膜；在硬掩膜上旋涂第一层光刻胶，经光刻、显影，形成第一层光刻胶图形；依据该第一层光刻胶图形刻蚀硬掩膜，形成硬掩膜图形；旋涂第二层光刻胶，经光刻、显影，形成第二层光刻胶图形；依据该第二层光刻胶图形进行第一次钨合金刻蚀，在开口面积较小区域的钨合金基底上刻蚀的深度达到负载效应量；去除剩余的第二层光刻胶，依据上述硬掩膜图形进行第二次钨合金刻蚀，以在开口面积较大和较小区域的钨合金基底上刻蚀到同等深度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 高深 合金 刻蚀 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高高深宽比钨合金刻蚀均匀性的方法，步骤包括：在钨合金基底上生长硬掩膜；在硬掩膜上旋涂第一层光刻胶，经光刻、显影，形成含有开口面积较大和较小区域的第一层光刻胶图形；依据该第一层光刻胶图形刻蚀硬掩膜，将第一层光刻胶图形转移到硬掩膜上形成硬掩膜图形，使开口面积较大和较小区域的钨合金基底露出；在露出的钨合金基底和保留的硬掩膜上旋涂第二层光刻胶，经光刻、显影，形成第二层光刻胶图形，露出开口面积较小区域的钨合金基底，遮挡住开口面积较大区域的钨合金基底；依据该第二层光刻胶图形进行第一次钨合金刻蚀，在开口面积较小区域的钨合金基底上刻蚀的深度达到负载效应量；去除剩余的第二层光刻胶，依据上述硬掩膜图形进行第二次钨合金刻蚀，以在开口面积较大和较小区域的钨合金基底上刻蚀到同等深度。
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