[发明专利]一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法有效
| 申请号： | 201810715485.0 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN108878266B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 杨学林;沈波;冯玉霞;张智宏;刘开辉;张洁;许福军;王新强;唐宁 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：将单晶石墨烯转移至多晶或非晶衬底上；对单晶石墨烯表面进行预处理，产生悬挂键；生长AlN成核层；外延生长氮化镓单晶薄膜。本发明利用可转移的单晶石墨烯为氮化物生长提供所需的六方模板，大大拓宽氮化物可集成的衬底材料，可应用于GaN基大功率器件和柔性器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 衬底 生长 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括以下步骤：1)将单晶石墨烯转移至多晶或非晶衬底上；2)对转移后的单晶石墨烯表面进行预处理，产生悬挂键；3)在预处理后的单晶石墨烯上生长AlN成核层；4)在AlN成核层上外延生长氮化镓单晶薄膜。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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