[发明专利]一种双向低压平面瞬态电压抑制二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810715738.4 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN108987458B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李家贵 | 申请（专利权）人： | 西安卫光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/45;H01L29/861;H01L21/285;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710065 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双向低压平面瞬态电压抑制二极管及其制造方法，包括P型重掺杂硅衬底；在衬底的正面和背面分别形成有第一正面掺杂区和第一背面掺杂区，在衬底的正面和背面通过掺杂窗口扩散掺杂分别形成第二正面掺杂区和第二背面掺杂区，在第二正面掺杂区和第二背面掺杂区上分别形成有第二正面掺杂区氧化层和第二背面掺杂区氧化层，第二正面掺杂区氧化层和第二背面掺杂区氧化层上形成有正面接触孔和背面接触孔；在正面接触孔和背面接触孔上分别形成有正面金属电极和背面金属电极。本发明增加与硅衬底掺杂类型相同的正面掺杂区和背面掺杂区，起到调整衬底浓度，形成的PN结两端浓度梯度增大，可动离子减少，TVS漏电流减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 低压 平面 瞬态 电压 抑制 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双向低压平面瞬态电压抑制二极管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底为P型重掺杂硅衬底；在所述衬底的正面和背面分别形成有第一正面掺杂区和第一背面掺杂区，所述第一正面掺杂区和第一背面掺杂区与所述衬底掺杂类型相同；在所述衬底的正面和背面通过掺杂窗口扩散掺杂分别形成第二正面掺杂区和第二背面掺杂区，所述第二正面掺杂区和第二背面掺杂区与所述衬底掺杂类型相反；在所述第二正面掺杂区和第二背面掺杂区上分别形成有第二正面掺杂区氧化层和第二背面掺杂区氧化层，所述第二正面掺杂区氧化层和第二背面掺杂区氧化层上形成有正面接触孔和背面接触孔；在所述正面接触孔和背面接触孔上分别形成有正面金属电极和背面金属电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安卫光科技有限公司，未经西安卫光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810715738.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
