[发明专利]一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法

摘要

本发明提供了一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法，提供经过预处理的硅片；对硅片进行第一次扩散，在硅片正面形成第一掺杂层；对硅片进行第二次扩散，在第一掺杂层上方形成第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂浓度大于第一掺杂层的掺杂浓度；保留预设正面电极区域的第二掺杂层，刻蚀掉预设正面电极区域之间的第二掺杂层；在预设正面电极区域的第二掺杂层上方形成正面电极。由于第二掺杂层即重掺杂层和第一掺杂层即轻掺杂层是两次扩散形成的，因此，可以使轻掺杂层的掺杂浓度很低，使重掺杂层的掺杂浓度很高，进而可以增大重掺杂层和轻掺杂层的掺杂浓度差异，提升太阳能电池的转换效率。

主权项

1.一种选择性发射极结构的制作方法，其特征在于，包括：提供经过预处理的硅片；对所述硅片进行第一次扩散，在所述硅片正面形成第一掺杂层；去除所述硅片表面的杂质，并对所述硅片进行第二次扩散，在所述第一掺杂层上方形成第二掺杂层，所述第二掺杂层的掺杂浓度大于所述第一掺杂层的掺杂浓度；保留预设正面电极区域的第二掺杂层，刻蚀掉所述预设正面电极区域之间的第二掺杂层，以暴露出所述预设正面电极区域之间的第一掺杂层；在所述预设正面电极区域的所述第二掺杂层上方形成正面电极。