[发明专利]一种大功率紫外LED垂直芯片封装结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种大功率紫外LED垂直芯片封装结构及其制作方法，发光外延层包括位于N型外延层背离第一衬底一侧的柱状外延阵列，且每一柱状外延包括依次垂直N型外延层叠加的多量子阱有源层、电子阻挡层和P型外延层，其中，相邻柱状外延之间由于具有间隙而被空气相互贯通，进而能够通过柱状外延阵列和外界空气两种界面之间的全反射及光线散射效应，增强紫外LED芯片的出光效率和散热效果，提高了紫外LED芯片的性能。此外，由于第二衬底的设置，使得更加容易将第二衬底和P型电极结构的剥离去除，而便于剩余发光结构转移连接至其他器件结构中。

主权项

1.一种大功率紫外LED垂直芯片封装结构，其特征在于，包括：第一衬底；位于所述第一衬底一表面的发光外延层，所述发光外延层包括：位于所述第一衬底表面的N型外延层，位于所述N型外延层背离所述第一衬底一侧的柱状外延阵列，且每一柱状外延包括依次垂直所述N型外延层叠加的多量子阱有源层、电子阻挡层和P型外延层；位于所述发光外延层背离所述第一衬底一侧的反射层；位于所述反射层背离所述第一衬底一侧的第二衬底，所述第二衬底与所述反射层之间键合连接；以及，位于所述第一衬底背离所述发光外延层一侧的N型电极结构，及位于所述第二衬底背离所述第一衬底一侧的P型电极结构。