[发明专利]一种铜催化刻蚀制绒硅片表面圆滑处理的方法有效
| 申请号： | 201810717904.4 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109087853B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 李绍元;盛贵章;马文会;朱祺桉;陈正杰;万小涵;于洁;魏奎先;雷云;颜恒维;杨斌;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种铜催化刻蚀制绒硅片表面圆滑处理的方法，属于太阳能电池行业中晶体硅表面制绒技术领域。本发明将金刚石线切割的硅片进行清洗和氧化层去除处理；在室温~95℃条件下，将氧化层去除处理后的硅片置于HF‑金属铜盐‑H |
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| 搜索关键词： | 一种 催化 刻蚀 硅片 表面 圆滑 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铜催化刻蚀制绒硅片表面圆滑处理的方法，其特征在于，具体步骤为：（1）将金刚石线切割的硅片进行清洗和氧化层去除处理；（2）倒金字塔结构的引入：在室温~95℃条件下，将步骤（1）氧化层去除处理后的硅片置于HF‑金属铜盐‑H2O2刻蚀液中刻蚀1~600min，再置于硝酸溶液中浸泡1~100min，然后置于HF溶液中浸泡1~100min，采用去离子水清洗即得倒金字塔结构织化硅片；（3）将步骤（3）倒金字塔结构织化硅片进行圆滑处理即得圆滑的倒金字塔结构织化硅片；其中圆滑处理的方法为采用圆滑处理体系法和/或超声处理方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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