[发明专利]Zn掺杂Ni-MOF自支撑复合电极及其制备方法和应用有效
申请号: | 201810719179.4 | 申请日: | 2018-07-02 |
公开(公告)号: | CN109036875B | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 杨杰;陈改荣;马志华;王刘杰;张晨阳;姚文惠 | 申请(专利权)人: | 新乡学院 |
主分类号: | H01G11/86 | 分类号: | H01G11/86;H01G11/26;H01G11/24;H01G11/30 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 冯谱 |
地址: | 453000*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: |
本发明公开了Zn掺杂Ni‑MOF自支撑复合电极及其制备方法和应用。采用气相沉积和溶剂热法制备得到NF/GF/Zn‑doped Ni‑MOF自支撑复合电极。本发明通过气相沉积法和溶剂热法得到NF/GF/Zn‑doped Ni‑MOF自支撑复合电极。本发明首次制备得到这种三相复合结构的自支撑电极,并研究了它在超级电容器性能。发明结果表明,该电极具有较高的赝电容储能特性,在0.5Ag |
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搜索关键词: | zn 掺杂 ni mof 支撑 复合 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.Zn掺杂Ni‑MOF自支撑复合电极的制备方法,其特征在于,将泡沫镍放置在坩埚中,再将坩埚放入高温管式炉中,将管式炉抽成真空,通入Ar和H2,将高温管式炉程序设置为以50℃min‑1的速率升温至1000℃,恒温10min后通入CH4,之后接着恒温1h,然后关闭H2和CH4,自然冷却至室温后,关闭Ar,得到泡沫镍/泡沫石墨烯电极;取6.5ml DMF和4ml乙二醇,在烧杯中组成混合溶液,依次加入0.024g对苯二甲酸,0.04g的硝酸镍(Ni(NO3)26H2O)和0.044g的Zn(NO3)2,用磁力搅拌器室温下搅拌1小时;将所得的泡沫镍/泡沫石墨烯电极即NF‑GF电极放入40ml的反应釜内衬底部,之后将(3)步骤的溶液倒入,将该反应釜放入鼓风干燥箱,设定参数为150℃,恒温6h后自然冷却;将反应釜从真空干燥箱中取出,将反应后的电极片取出,依次用DMF、丙酮分别清洗3次;将洗后的电极片放入真空干燥箱,80℃,24h后烘干得到NF/GF/Zn‑doped Ni‑MOF自支撑复合电极。
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