[发明专利]激光密封装置及半导体器件的封装方法

摘要

本公开提出一种激光密封装置及半导体器件的封装方法，激光密封装置包括激光源及挡板。激光源的移动路径包括沿移动方向依序循环连接的功率升高段、功率降低段和额定段，功率升高段在移动方向上具有第一起点和第一终点，功率降低段在移动方向上具有第二起点和第二终点，第一终点与第二起点重合。挡板设于激光源与半导体器件之间，挡板能在第一遮挡位置和第二遮挡位置之间移动，以分别遮挡功率升高段和功率降低段。挡板位于第一遮挡位置，激光源首次移至第一起点并由此出发，且功率在移至第一终点时由零升至额定值。挡板位于第二遮挡位置，激光源再次由第一起点移至第一终点时功率为额定值。激光源功率再次由第二起点移至第二终点时由额定值降至零。

主权项

1.一种激光密封装置，用以通过激光烧结熔胶的方式对半导体器件进行密封，其特征在于：所述激光密封装置包括激光源以及挡板；所述激光源可移动地设于所述半导体器件的一表面之上，所述激光源投影于该表面的移动路径包括沿移动方向依序循环连接的功率升高段、功率降低段和额定段，所述功率升高段在移动方向上具有第一起点和第一终点，所述功率降低段在移动方向上具有第二起点和第二终点，所述第一终点与所述第二起点重合；所述挡板设于所述激光源与所述半导体器件之间，所述挡板能在第一遮挡位置和第二遮挡位置之间移动，用以分别遮挡所述功率升高段和所述功率降低段；其中，所述激光密封装置对所述半导体器件进行密封时，所述激光源由所述第一起点开始移动，经由所述功率升高段、所述功率降低段、所述额定段、所述功率升高段、所述功率降低段移动，至所述第二终点停止移动；其中，所述激光源第一次在所述功率升高段移动时，所述挡板位于所述第一遮挡位置，所述激光源第一次由所述第一起点移至所述第一终点时，其功率由零升至额定值；所述激光源第二次在所述功率升高段移动时，所述挡板位于所述第二遮挡位置，所述激光源由所述第二起点移至第一终点时功率为额定值；所述激光源第二次由所述第二起点移至所述第二终点时其功率由额定值降至零。