[发明专利]SiC纳米孔阵列在超级电容器中的应用在审
| 申请号： | 201810720469.0 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109103025A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 陈善亮;李维俊;刘乔;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | H01G11/22 | 分类号： | H01G11/22;H01G11/24;H01G11/30 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及SiC纳米孔阵列在超级电容器中的应用，属于纳米材料技术领域。所述的超级电容器的电极由SiC纳米孔阵列一体化制成。所述的SiC纳米孔阵列的相成分为4H‑SiC，所述的SiC纳米孔阵列的纳米孔为竖直孔道结构，孔直径为5‑40nm，孔长为8‑20μm。本发明中SiC纳米孔阵列电极材料具有大比表面积、较好导电性以及化学稳定性和热稳定性，在较宽的温度条件下都具有较高的循环稳定性，因此，将SiC纳米孔阵列一体化制成电极用于超级电容器中可在保证超级电容器高比电容的同时提高其在宽温条件下的循环温度性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米孔阵列 超级电容器 一体化制成 电极 纳米材料技术 导电性 化学稳定性 循环稳定性 电极材料 孔道结构 热稳定性 温度条件 比电容 纳米孔 温度性 孔长 宽温 竖直 应用 保证 | ||
【主权项】：
1.SiC纳米孔阵列在超级电容器中的应用，其特征在于，超级电容器的电极由SiC纳米孔阵列一体化制成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波工程学院，未经宁波工程学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810720469.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
